低速電子線回折装置（LEED）
低速電子線回折装置（Low Energy Electron Diffraction : LEED）は、真空中で数eV〜数百eV程度の電子線を試料表面に垂直に入射させ、試料表面の結晶格子で回折した後方散乱図形を検出することで結晶表面の構造を調べる分析手法です。
LEEDで入射する電子線は試料表面から数nm程度しか侵入しないため表面状態に極めて敏感であり、主に結晶性，表面構造の情報が得られます。
また、真空装置と組み合わせた複合装置とした場合、トランスファーロッドで試料搬送することで、真空を破らず成膜直後の薄膜試料の表面分析が可能になります。
