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レーザーアシスト基板加熱機構

レーザーアシスト基板加熱機構

本機構は、既存のヒーターによる裏面加熱に付加する形で基板の表面に直接レーザーを照射することで基板加熱をアシストします。

二つの加熱機構が熱の逃げを補い合うことで加熱能力を大きく向上させることが出来ます。

本機構は単体での高温焼き出しにももちろん使用できますが、より高い基板温度達成に悩んでいるお客様に「アシスト加熱」という新しいアイデアを提案いたします。

特長

  • 基板だけの加熱による低アウトガス高加熱効率
  • ダブル加熱で加熱時間短縮
  • レーザーとパイロメーターの同軸光学系
  • CCDアライメント
  • 安全対策(インターロック)

アプリケーション

  • 成膜装置の基板加熱
  • 蒸着用熱源
  • プレアニール
  • ポストアニール
  • フラッシング
  • 部分焼き出し

新製品情報

2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年9月
【極低温冷凍機システム】
寒材フリー型真空・低温プローバー
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
2015年7月
【その他各種取扱製品】
テラヘルツ発生・検出器 (光伝導アンテナ)
2010年9月
【表面分析装置】
飛行時間型原子散乱表面分析装置 TOFLAS-3000
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イベント情報

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トピックス

2018年12月17日
茨城事業所(茨城県那珂市)を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2013年9月27日
原子散乱表面分析装置 に、関連技術情報3件を掲載しました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
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