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半導体レーザー基板加熱ユニット

PHE-DL-10

半導体レーザー基板加熱ユニット

本ユニットは、半導体レーザー制御・電源モジュールから赤外線レーザー光を取り出し、光ファイバーを通して真空装置上部からレーザー光をレンズによる適度な収束の後基板裏面に照射することで、高真空中で無負荷状態の基板を最高到達温度1200℃まで加熱可能なユニットです。

半導体レーザーは弊社レーザー加熱用に開発され、温度のフィードバックや真空装置に適した出力及びアタッチメントから構成されています。 また、試料基板加熱部は、ファイバー受け,レンズ,レンズフード,石英窓から構成されています。

特長

  • ファイバーカップリング型
  • 外部制御
  • 低パワーでの高温化実現
  • 温度勾配対応
  • 制御ラック収納型
  • 安全対策(インターロック)

主な仕様

1.半導体レーザー

レーザー種 ファイバーカップリング式半導体レーザー
発振形態 CW (連続発振)
波長 808nm
最大出力 120W (OPTION:140W,180W,200W,350W)

2.光ファイバー

コア径 0.4mm
N A 0.22
長さ 5m
コネクター SMA905

3.半導体レーザー制御・電源モジュール

主電源 AC90V−AC230V 50/60Hz
出力 DC50A
リップル 0.2%RMS 以下
立上・立下 2nsec 以下
電流設定 ±0.1%以下

4.冷却チラー

電源容量 AC200V 4A
冷却能力 600W 以上
温度制御範囲 18℃−30℃
ポンプ循環能力 5L/min 以上 (0.2MPa)

5.光学系

φ2インチ集光レンズ及び光学フォルダー

新製品情報

2021年3月
【真空搬送システム】
クラスターシステム
2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
その他の新製品情報 >>

イベント情報

2022年3月22日〜26日
【併設展示】
応用物理学会春季学術講演会(於:青山学院大学 相模原キャンパス)
その他のイベント情報 >>

トピックス

2021年5月1日
関東営業所(埼玉県新座市)を移転しました。
2018年12月17日
茨城事業所(茨城県那珂市)を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
その他のトピックス >>
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