本ユニットは、半導体レーザー制御・電源モジュールから赤外線レーザー光を取り出し、光ファイバーを通して真空装置上部からレーザー光をレンズによる適度な収束の後基板裏面に照射することで、高真空中で無負荷状態の基板を最高到達温度1200℃まで加熱可能なユニットです。
半導体レーザーは弊社レーザー加熱用に開発され、温度のフィードバックや真空装置に適した出力及びアタッチメントから構成されています。 また、試料基板加熱部は、ファイバー受け，レンズ，レンズフード，石英窓から構成されています。
| レーザー種 | ファイバーカップリング式半導体レーザー |
| 発振形態 | CW （連続発振） |
| 波長 | 808nm |
| 最大出力 | 120W （OPTION：140W，180W，200W，350W） |
| コア径 | 0.4mm |
| N A | 0.22 |
| 長さ | 5m |
| コネクター | SMA905 |
| 主電源 | AC90V−AC230V 50/60Hz |
| 出力 | DC50A |
| リップル | 0.2％RMS 以下 |
| 立上・立下 | 2nsec 以下 |
| 電流設定 | ±0.1％以下 |
| 電源容量 | AC200V 4A |
| 冷却能力 | 600W 以上 |
| 温度制御範囲 | 18℃−30℃ |
| ポンプ循環能力 | 5L/min 以上 （0.2MPa） |
| φ2インチ集光レンズ及び光学フォルダー |
