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スタンダードレーザーMBE装置

ST-LMBE

スタンダードレーザーMBE装置

球型チャンバーで小型化と高い操作性を実現

本装置は、外部より導入されるアブレーション用レーザーを真空中のターゲットに照射し、基板にターゲット材を堆積させることが可能な超高真空装置です。

本装置は主に、成膜室、成膜室排気系で構成されますが、基板導入室を始めとする多様なオプションが選択できます。

この装置の特長として、赤外ランプ加熱を装備しているので、基板を800℃以上まで加熱することが可能であり、なおかつ酸素雰囲気に強い構造を有します。

また、従来の装置よりコンパクトな設計になっており操作性が向上しております。

特長

  • 260mm径球型チャンバー採用によるコンパクトな設計
  • □10mm用赤外線ランプ加熱ユニットを標準装備
  • 6種類のターゲットが使用可
  • コンピューターによる自動制御に対応
  • 多数のオプションポートによる高い拡張性
  • オプションのロードロック室ユニットの取り付けることで操作性がさらに向上
スタンダードレーザーMBE装置

主な仕様

成膜室および真空排気系
チャンバー形状 : φ260mm 球形
到達真空度 : 6.7×10-7Pa以下(5×10-9Torr)
セラミックベアリングターボポンプ 250L/s
ターゲット自公転ユニット
φ20mm×6軸
自転・公転モーター駆動(PC制御)
基板加熱ユニット
赤外線ランプ基板加熱ユニット (半導体レーザー基板加熱ユニットへの変更可能)
基板サイズ : □10mm
基板加熱温度 : 800℃以上
コンビナトリアルマスクユニット なし(オプション)
RHEEDユニット なし(オプション)
ロードロック室ユニット なし(オプション)
共通仕様
電源・コントロールラック(JIS規格準拠)一体型チャンバーフレーム
PLD自動制御システム(PCおよび制御ソフトウェア)

主なオプション

新製品情報

2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年9月
【極低温冷凍機システム】
寒材フリー型真空・低温プローバー
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
2015年7月
【その他各種取扱製品】
テラヘルツ発生・検出器 (光伝導アンテナ)
2010年9月
【表面分析装置】
飛行時間型原子散乱表面分析装置 TOFLAS-3000
その他の新製品情報 >>

イベント情報

2020年9月8日〜11日
【併設展示】
第81回応用物理学会秋季学術講演会(於:同志社大学 今出川校地)
その他のイベント情報 >>

トピックス

2018年12月17日
茨城事業所(茨城県那珂市)を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2013年9月27日
原子散乱表面分析装置 に、関連技術情報3件を掲載しました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
その他のトピックス >>
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