真空チャンバー内の原料ターゲットに電界で加速させたイオンを衝突させて表面原子(分子)を弾き飛ばすスパッタリング現象(Sputtering)を用いた薄膜形成装置です。
高融点材料や合金など、真空蒸着が困難な蒸着材料でも薄膜を作製することができるため、広範囲の材料に対して適用が可能であり、さらに半導体,液晶,磁気ディスクなどの高品質薄膜の作製も可能です。
本装置は、新しいデバイス,半導体の研究に開発された数々の特長を持つ、多層膜スパッタリング装置です。
本装置は、コンビナトリアル成膜技術を導入して一括合成した薄膜,及びマスクをかえしてパターンを施した薄膜を製作可能な超高真空スパッタリング装置です。