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有機デバイス用赤外線レーザー蒸着装置

PAIR-CWLD

有機デバイス用赤外線レーザー蒸着装置

本真空装置は、連続発振の赤外線半導体レーザーを用いて有機半導体原料である昇華性粉末やイオン液体を気化させることにより、薄膜化する真空蒸着装置です。

成長温度の精密制御が可能であり、分子構造を破壊することなく高品質な薄膜が作製できます。

特長

  • アブレーションレーザーに連続発振赤外線(CW-IR)半導体レーザーを使用することで、レーザー照射のON，OFF制御が容易に可能
  • 有機分子材料の粉末原料のみならずイオン液体でも分子構造を破壊することなく高品質な薄膜作成が可能
  • 半導体レーザー基板加熱ユニットを用いることで成長温度の精密制御が可能
  • 6種類のターゲットが使用可

成長温度の精密制御例(1)

  • 過昇温の約1分後には設定温度
  • 安定後の温度変化　±0.1℃
  • 300℃から約10分で30℃に降下
成長温度の精密制御例(1)

成長温度の精密制御例(2)

  • 蒸着と温度変調を同期して堆積
  • 温度変化　25〜75℃
  • 10min.周期
成長温度の精密制御例(2)

主な仕様

アブレーションレーザー 連続発振赤外線(CW-IR)半導体レーザー（808nm）
成膜室および真空排気系
チャンバー形状 : φ216mm 円柱形
到達真空度 : 6.7×10-5Pa以下（5×10-7Torr）
セラミックベアリングターボポンプ　77L/s
ターゲット自公転ユニット
φ20mm×6軸
自転・公転モーター駆動（PC制御またはエレクトロマニュアル制御）
基板加熱ユニット
半導体レーザー基板加熱ユニット（50W，基板水冷機構付き）
基板サイズ : □10mm
基板加熱温度 : 常温〜300℃以上
コンビナトリアルマスクユニット なし （オプション）
RHEEDユニット なし （オプション）
ロードロック室ユニット なし （オプション）
共通仕様
以下の2つの制御方式のいずれか、または両方を選択可能
● PLD自動制御システム（PCおよび制御ソフトウェア）
● コントローラによるエレクトロマニュアル制御

オプション

有機デバイス用赤外線レーザーMBE装置

お問い合わせ

新製品情報

2021年3月
【真空搬送システム】
クラスターシステム
2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
その他の新製品情報 >>

イベント情報

2022年9月20日〜23日
【併設展示】
応用物理学会秋季学術講演会（於：東北大学 川内キャンパス）
その他のイベント情報 >>

トピックス

2021年5月1日
関東営業所（埼玉県新座市）を移転しました。
2018年12月17日
茨城事業所（茨城県那珂市）を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム（COI STREAM）」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
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