赤外線ランプ基板加熱ユニット
PHE-1000-1 / PHE-1000-2
超高真空対応型赤外放射ランプを使用した基板回転加熱機構は、超高真空雰囲気において基板を800℃以上に上げる事が可能となっています。
プロセスガス 特に酸素中でも加熱でき、構造上酸化しにくくなっています。
超高真空対応型赤外放射ランプを使用した基板回転加熱機構は、超高真空雰囲気において基板を800℃以上に上げる事が可能となっています。
プロセスガス 特に酸素中でも加熱でき、構造上酸化しにくくなっています。
加熱部 | 超高真空内蔵型赤外ランプ加熱機構(水冷式)(実用新案) | ||
加熱温度 | 800℃以上(基板面にて) | ||
制御電源 | DC電源 -- PID制御 | ||
上下機構 |
|
||
X-Y機構 | 半固定式(微調可能) | ||
チルト機構 | 搭載 | ||
面内回転 | 360°エンドレスモータ駆動式 | ||
基板サイズ | φ50mm MAX | ||
取付フランジ寸法 | ICF253, ICF203 |