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赤外線ランプ基板加熱ユニット

PHE-1000-1 / PHE-1000-2

赤外線ランプ基板加熱ユニット

超高真空対応型赤外放射ランプを使用した基板回転加熱機構は、超高真空雰囲気において基板を800℃以上に上げる事が可能となっています。

プロセスガス 特に酸素中でも加熱でき、構造上酸化しにくくなっています。

特長

  • 超高真空雰囲気下で800℃以上の基板加熱が可能
  • 酸素雰囲気下でも基板加熱が可能
基板加熱グラフ

主な仕様

加熱部 超高真空内蔵型赤外ランプ加熱機構(水冷式)(実用新案)
加熱温度 800℃以上(基板面にて)
制御電源 DC電源 -- PID制御
上下機構
Z1 : ±10mm ストローク
Z2 : ±10mm ストローク
X-Y機構 半固定式(微調可能)
チルト機構 搭載
面内回転 360°エンドレスモータ駆動式
基板サイズ φ50mm MAX
取付フランジ寸法 ICF253, ICF203

新製品情報

2015年7月
【その他各種取扱製品】
テラヘルツ発生・検出器 (光伝導アンテナ)
2013年10月
【真空部品】
アジレント社製 新型スクロールポンプ IDP-15
2013年7月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 304 FS
2010年9月
【表面分析装置】
飛行時間型原子散乱表面分析装置 TOFLAS-3000
2010年3月
【極低温冷凍機システム】
アクセスドア仕様 光学&電気測定用冷凍機システム 〔小型 4K GM CRYO COOLER〕
その他の新製品情報 >>

イベント情報

2018年10月31日〜11月2日
【併設展示】
第47回結晶成長国内会議(JCCG-47)(於:仙台市戦災復興記念館)
その他のイベント情報 >>

トピックス

2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2013年9月27日
原子散乱表面分析装置 に、関連技術情報3件を掲載しました。
2012年11月1日
茨城事業所(茨城県那珂市)を開設しました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
その他のトピックス >>
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