赤外線ランプ基板加熱ユニット
PHE-1000-1 / PHE-1000-2
超高真空対応型赤外放射ランプを使用した基板回転加熱機構は、超高真空雰囲気において基板を800℃以上に上げる事が可能となっています。
プロセスガス 特に酸素中でも加熱でき、構造上酸化しにくくなっています。
超高真空対応型赤外放射ランプを使用した基板回転加熱機構は、超高真空雰囲気において基板を800℃以上に上げる事が可能となっています。
プロセスガス 特に酸素中でも加熱でき、構造上酸化しにくくなっています。
コンパクトレーザーMBE装置カタログ
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