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真空装置オプションユニット

RHEEDユニットをはじめ、基板加熱ユニットやターゲット自公転ユニット,スパッタガンなど各種真空装置アクセサリーを紹介!

真空装置オプションユニット ラインナップ

RHEEDユニット

超高真空下で加速収束された電子線を基板に照射し、表面キャラクタリゼーションを行うための反射高速電子線回折(RHEED)ユニットです。

標準的な回折像観察に加えて、オプション追加により高圧条件下での測定またはサンプル面内スキャン機能を実現することができます。

ターゲット自公転ユニット

ターゲットの自転およびターゲット交換のための公転などの機構を持つユニットです。

赤外線ランプ基板加熱ユニット

超高真空対応型赤外放射ランプを使用した基板回転加熱機構は、超高真空雰囲気において基板を1000℃以上に上げる事が可能となっています。

プロセスガス特に酸素中でも過熱でき、構造上酸化しにくくなっています。

半導体レーザー基板加熱ユニット

本ユニットは、半導体レーザー制御・電源モジュールから赤外線レーザー光を取り出し、光ファイバーを通して真空装置上部からレーザー光をレンズによる適度な収束の後基板裏面に照射することで、高真空中で無負荷状態の基板を最高到達温度1200℃まで加熱可能なユニットです。

コンビナトリアルマスクユニット

1枚の基板上にあらゆる組み合わせの薄膜を一括形成させるコンビナトリアル成膜をするためのコンビナトリアルマスクの位置制御ユニットです。

ロードロック室ユニット

本ユニットは、ターゲット 及び 基板を大気に曝すことなく真空成膜室とのアクセスを可能としたロードロック室ユニットです。

短時間で超高真空に排気できるポンプを備えており、一つのトランスファー機構で L/L室−真空成膜室間のターゲット 及び 基板の搬送を可能にしています。

PLD自動制御システム

本システムは、パスカル製 PLD / レーザーMBE装置の基板加熱温度,ターゲット選択,ターゲット自転・揺動,コンビナトリアルマスク位置,基板回転などの制御に加え、アブレーションレーザーの発振なども同期制御が可能となっています。

高純度オゾン発生装置

オゾナイザーで発生したオゾンを小型冷凍機によって液化・貯蔵し、貯蔵室の温度を制御する事によって、液体オゾンを気化し高純度オゾンを発生供給する装置です。

活性原子 / ラジカルビーム源

活性原子 / ラジカルビーム源は水素,窒素,酸素などのガスを導入口とRF放電によりラジカルを形成する分解室 及び 基板に照射する噴出口から形成されています。

分子線セル(クヌーセンセル)

ルツボ内の原料をヒーターによって加熱・蒸発させることで、基板に分子線エピタキシー(Molecular Beam Epitaxy : MBE)蒸着させるための分子線セルです。

温度や原料,用途によってPBNや石英などのルツボ材質、タングステンやタンタルなどのヒーター材質を選択できます。

マグネトロンスパッタガン

従来のマグネトロン放電領域を低圧力側に2桁以上拡張した超低圧力対応のマグネトロンスパッタガンです。

今まで不可能であった他の蒸着法との併用が可能となり、高純度の薄膜を得ることができます。

新製品情報

2015年7月
【その他各種取扱製品】
テラヘルツ発生・検出器 (光伝導アンテナ)
2013年10月
【真空部品】
アジレント社製 新型スクロールポンプ IDP-15
2013年7月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 304 FS
2010年9月
【表面分析装置】
飛行時間型原子散乱表面分析装置 TOFLAS-3000
2010年3月
【極低温冷凍機システム】
アクセスドア仕様 光学&電気測定用冷凍機システム 〔小型 4K GM CRYO COOLER〕
その他の新製品情報 >>

イベント情報

2017年9月5日〜8日
【併設展示】
第78回応用物理学会秋季学術講演会(於:福岡国際センター)

トピックス

2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2013年9月27日
原子散乱表面分析装置 に、関連技術情報3件を掲載しました。
2012年11月1日
茨城事業所(茨城県那珂市)を開設しました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
その他のトピックス >>
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