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PLD / レーザーMBE装置

真空チャンバー内の原料ターゲットにレーザー光を照射して昇華させることで基板に薄膜を形成するパルスレーザーデポジション(Pulsed Laser Deposition : PLD)法では、真空度,レーザー,基板温度等の条件を規定すると、従来の(クヌーセンセルを用いた)分子線エピタキシー(Molecular Beam Epitaxy : MBE)法と同様の結晶成長ができます。

この成膜方法は、従来MBE法に倣ってレーザー分子線エピタキシー(Laser Molecular Beam Epitaxy : Laser MBE または LMBE)法と呼ばれており、パスカルでは、1995年より、このLMBE法を志向したPLD/LMBE装置の開発を行ってきました。

PLD / レーザーMBE装置 ラインナップ

コンパクトレーザーMBE装置

扱いやすいデザインで各種成膜条件の制御が容易

本装置は、超高真空成膜室に置かれたターゲット材にレーザー光を照射する事により、材料をレーザーアブレーションし、対向位置に置かれた基板上に材料を堆積させ、堆積膜を作製する装置です。

モバイルコンビレーザーMBE装置

コンビができる、小さい、高機能、完全PC制御

本装置は超高真空環境において、合成石英窓を介して導入されたパルスレーザーの光をターゲットに照射して、対向する基板上に薄膜を堆積させるレーザーMBE装置です。

スタンダードレーザーMBE装置

球型チャンバーで小型化と高い操作性を実現

本装置は、外部より導入されるアブレーション用レーザーを真空中のターゲットに照射し、基板にターゲット材を堆積させることが可能な超高真空装置です。

有機デバイス用赤外線レーザー蒸着装置

本真空装置は、連続発振の赤外線半導体レーザーを用いて有機半導体原料である昇華性粉末やイオン液体を気化させることにより、薄膜化する真空蒸着装置です。

成長温度の精密制御が可能であり、分子構造を破壊することなく高品質な薄膜が作製できます。

新製品情報

2015年7月
【その他各種取扱製品】
テラヘルツ発生・検出器 (光伝導アンテナ)
2013年10月
【真空部品】
アジレント社製 新型スクロールポンプ IDP-15
2013年7月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 304 FS
2010年9月
【表面分析装置】
飛行時間型原子散乱表面分析装置 TOFLAS-3000
2010年3月
【極低温冷凍機システム】
アクセスドア仕様 光学&電気測定用冷凍機システム 〔小型 4K GM CRYO COOLER〕
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イベント情報

2017年9月5日〜8日
【併設展示】
第78回応用物理学会秋季学術講演会(於:福岡国際センター)

トピックス

2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2013年9月27日
原子散乱表面分析装置 に、関連技術情報3件を掲載しました。
2012年11月1日
茨城事業所(茨城県那珂市)を開設しました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
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