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飛行時間型原子散乱表面分析装置

TOFLAS-3000

飛行時間型原子散乱表面分析装置

“世界初！”電気的に中性な原子ビームの採用で、絶縁体表面の分析や電場・磁場中での「その場分析」が可能

イオン散乱分光法（Ion Scattering Spectroscopy : ISS）、特に同軸型直衝突イオン散乱分光法（Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy : CAICISS）は、半導体，金属表面の構造解析に有力な分析手法ですが、絶縁体表面に関しては入射イオンによる帯電（チャージアップ）効果のため、信頼性のある分析が困難で未開拓の領域となっていました。

株式会社パスカルは、このCAICISS法をさらに発展させ、入射プローブとしてイオンではなく電気的に中性な原子ビームを用いた飛行時間型-原子散乱表面分析装置を開発し、半導体，金属のみならず絶縁体表面の組成および原子配列の解析も可能としました。

特長

電気的に中性な原子ビームを採用することで、帯電（チャージアップ）の問題がなくなりました。

  • 金属，半導体はもとより絶縁体の表面分析にも威力を発揮。
  • 試料表面の元素の同定が可能。
  • 表面下数層の原子構造解析が可能。
  • 試料表面の極性判別が可能。
  • 表面での動的過程のリアルタイムモニタリングに対応。
  • 電場・磁場中でも影響なく測定が可能。
中性原子ビームの効果イオンビームの挙動
原子散乱スペクトルの例 MgO(100)イオン散乱スペクトルの例 MgO(100)

測定モード

装置模式図測定説明図

TOFスペクトル測定

TOFスペクトル測定
  • 試料へ照射したビームの粒子が散乱して検出器へ帰ってくるまでの飛行時間スペクトルを計測します。試料表面の構成元素が分析できます。

極角測定

極角測定
  • 試料を極角方向で回転させ、角度毎の散乱強度を計測します。表面下数層の結晶構造を解明できます。

方位角測定

方位角測定
  • 試料を方位角方向で回転させ、角度毎の散乱強度を計測します。試料表面の軸方位や対称性を知ることができます。

全方位スキャン（極点図）

全方位スキャン（極点図）
  • 試料を極角・方位角の両方向で回転させ、全方位の散乱強度を計測します。得られた全方位の極点図からより精緻な構造の評価ができます。

応用例

  • 薄膜成長の単原子層成長モニター
  • 薄膜成長モードの判定・評価
  • 強磁場中での薄膜成長過程の“その場分析”
  • 電気的にフローティング状態にある試料の分析
  • 極点図による試料表面の極性判別
  • 表面偏析元素の同定など
  • 簡易SIMSによる高感度・高分解能元素分析
成長モードの評価磁場中での測定例
極点図による極性判別
TOFLASによる結晶構造解析法

関連技術情報

お問い合わせ

新製品情報

2021年3月
【真空搬送システム】
クラスターシステム
2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
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イベント情報

2022年9月20日〜23日
【併設展示】
応用物理学会秋季学術講演会（於：東北大学 川内キャンパス）
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トピックス

2021年5月1日
関東営業所（埼玉県新座市）を移転しました。
2018年12月17日
茨城事業所（茨城県那珂市）を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム（COI STREAM）」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
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