二次イオン質量分析法(Secondary Ion Mass Spectrometry : SIMS)は、イオン(一次イオン)ビームを試料表面に照射し、スパッタリング現象により発生するイオン(二次イオン)を質量分離することで、表面構成元素を高感度かつ高分解能に測定することができます。
株式会社パスカルは、電気的に中性な原子ビームを用いた原子散乱表面分析装置の応用機能として、簡易SIMS測定を可能としました。
原子散乱表面分析装置の応用機能 : 簡易SIMS
従来の二次イオン質量分析法(SIMS)では、イオン(一次イオン)ビームを試料表面に照射していたため、絶縁体表面に関しては入射イオンによる帯電(チャージアップ)効果のため、分析が困難でした。
電気的に中性な原子ビームを用いた飛行時間型-原子散乱表面分析装置は、応用機能として簡易SIMS測定を行うことが可能であり、これにより絶縁体表面の高感度かつ高分解能な元素分析を実現しました。