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飛行時間型原子散乱表面分析装置

TOFLAS-3000

飛行時間型原子散乱表面分析装置

“世界初!”電気的に中性な原子ビームの採用で、絶縁体表面の分析や電場・磁場中での「その場分析」が可能

イオン散乱分光法(Ion Scattering Spectroscopy : ISS)、特に同軸型直衝突イオン散乱分光法(Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy : CAICISS)は、半導体,金属表面の構造解析に有力な分析手法ですが、絶縁体表面に関しては入射イオンによる帯電(チャージアップ)効果のため、信頼性のある分析が困難で未開拓の領域となっていました。

株式会社パスカルは、このCAICISS法をさらに発展させ、入射プローブとしてイオンではなく電気的に中性な原子ビームを用いた飛行時間型-原子散乱表面分析装置を開発し、半導体,金属のみならず絶縁体表面の組成および原子配列の解析も可能としました。

カタログ・パンフレット

TOFLAS-3000 (Rev.3)

パスカル社 表面分析装置

飛行時間型原子散乱表面分析装置 カタログ

RHEEDパンフレット

飛行時間型原子散乱表面分析装置 関連技術情報

飛行時間型原子散乱表面分析装置 紹介動画(1分間)

組み合わせ・販売実績のある表面分析モジュール

VG Scienta社 リンク

ユニソク社 リンク

Park systems社 リンク

レーザーテック社 リンク

上記以外のカタログ・パンフレットおよび技術資料

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新製品情報

2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
2010年9月
【表面分析装置】
飛行時間型原子散乱表面分析装置 TOFLAS-3000
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イベント情報

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トピックス

2021年5月1日
関東営業所(埼玉県新座市)を移転しました。
2018年12月17日
茨城事業所(茨城県那珂市)を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
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