飛行時間型原子散乱表面分析装置
TOFLAS-3000
“世界初！”電気的に中性な原子ビームの採用で、絶縁体表面の分析や電場・磁場中での「その場分析」が可能
イオン散乱分光法（Ion Scattering Spectroscopy : ISS）、特に同軸型直衝突イオン散乱分光法（Coaxial Impact Collision Ion Scattering Spectroscopy : CAICISS）は、半導体，金属表面の構造解析に有力な分析手法ですが、絶縁体表面に関しては入射イオンによる帯電（チャージアップ）効果のため、信頼性のある分析が困難で未開拓の領域となっていました。
株式会社パスカルは、このCAICISS法をさらに発展させ、入射プローブとしてイオンではなく電気的に中性な原子ビームを用いた飛行時間型-原子散乱表面分析装置を開発し、半導体，金属のみならず絶縁体表面の組成および原子配列の解析も可能としました。
