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スタンダードレーザーMBE装置

ST-LMBE

スタンダードレーザーMBE装置

球型チャンバーで小型化と高い操作性を実現

本装置は、外部より導入されるアブレーション用レーザーを真空中のターゲットに照射し、基板にターゲット材を堆積させることが可能な超高真空装置です。

本装置は主に、成膜室、成膜室排気系で構成されますが、基板導入室を始めとする多様なオプションが選択できます。

この装置の特長として、赤外ランプ加熱を装備しているので、基板を800℃以上まで加熱することが可能であり、なおかつ酸素雰囲気に強い構造を有します。

また、従来の装置よりコンパクトな設計になっており操作性が向上しております。

詳細仕様

1.成膜室

チェンバーサイズ φ260mm 球形 SUS304
真空到達度 6.7×10-7Pa以下(5×10-9Torr以下)
レーザー導入窓 ICF114 石英ビューポート
真空モニター
高真空ゲージ ICF70 UHVヌードイオンゲージ
プロセスゲージ ICF70 キャパシタンス・ダイヤフラムゲージ
真空排気系
主排気 ターボ分子ポンプ 250L/s
補助排気 ロータリーポンプ 237L/m
バルブ ICF152 手動ゲートバルブ
背圧モニター T/Cゲージ
ガス導入
バリアブルリークバルブ
大気圧導入バルブ
ターゲット自公転ユニット
ターゲット φ20mm×3mmt 6個
自転機構 ACモーター駆動 回転スピード制御可能
公転機構 ステッピングモーター駆動
基板加熱ユニット
赤外線ランプ基板加熱ユニット (半導体レーザー基板加熱ユニットへの変更可能)
基板サイズ □10mm
最高加熱温度 800℃以上
熱電対 R型熱電対
移動機構 Z:±5mm(全体上下)
基板回転 ステッピングモーター式(センサー付)
水冷仕様 冷却水必要
コンビナトリアルマスクユニット なし(オプション)
RHEEDユニット なし(オプション)

2.ロードロック室

ロードロック室ユニット なし(オプション)

3.制御系

PLD自動制御システム
PCおよび制御ソフトウェアにより以下の自動制御が可能
・ 基板温度制御
・ レーザーのゲート・発振制御
・ ターゲット選択(レーザー発振との同期が可能)
・ ターゲット自転・揺動制御(ターゲット面内レーザー均一照射が可能)
・ 基板回転制御(基板角度指定も可能)
・ 排気系制御(ポンプ操作)

4.ユーティリティー

電源 AC100V 1φ 50A
AC200V 3φ 30A
AC200V 1φ 10A
ガス導入口 N2,O2
冷却水 水圧 : 2kgf/cm3以上,流量 : 20L/min以上

※一次側のユーティリティーはお客様でご用意下さい。
性能向上等のため予告なく仕様を変更することがありますので予めご了承ください。

オプション

新製品情報

2021年3月
【真空搬送システム】
クラスターシステム
2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
その他の新製品情報 >>

イベント情報

2022年3月22日〜26日
【併設展示】
応用物理学会春季学術講演会(於:青山学院大学 相模原キャンパス)
その他のイベント情報 >>

トピックス

2021年5月1日
関東営業所(埼玉県新座市)を移転しました。
2018年12月17日
茨城事業所(茨城県那珂市)を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
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