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半導体レーザー基板加熱ユニット

PHE-DL-10

半導体レーザー基板加熱ユニット

本ユニットは、半導体レーザー制御・電源モジュールから赤外線レーザー光を取り出し、光ファイバーを通して真空装置上部からレーザー光をレンズによる適度な収束の後基板裏面に照射することで、高真空中で無負荷状態の基板を最高到達温度1200℃まで加熱可能なユニットです。

半導体レーザーは弊社レーザー加熱用に開発され、温度のフィードバックや真空装置に適した出力及びアタッチメントから構成されています。 また、試料基板加熱部は、ファイバー受け,レンズ,レンズフード,石英窓から構成されています。

カタログ・パンフレット

コンパクトレーザーMBE装置

PASCAL PLD / レーザーMBE装置

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PASCAL オプションユニット

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上記以外のカタログ・パンフレットおよび技術資料

上記以外のカタログ・パンフレットおよび技術資料に関するお問い合わせは『カタログ等資料請求フォーム』およびお電話 にて受け付けております。

新製品情報

2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
2010年9月
【表面分析装置】
飛行時間型原子散乱表面分析装置 TOFLAS-3000
その他の新製品情報 >>

イベント情報

その他のイベント情報 >>

トピックス

2021年5月1日
関東営業所(埼玉県新座市)を移転しました。
2018年12月17日
茨城事業所(茨城県那珂市)を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
その他のトピックス >>
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