半導体レーザー基板加熱ユニット
PHE-DL-10
本ユニットは、半導体レーザー制御・電源モジュールから赤外線レーザー光を取り出し、光ファイバーを通して真空装置上部からレーザー光をレンズによる適度な収束の後基板裏面に照射することで、高真空中で無負荷状態の基板を最高到達温度1200℃まで加熱可能なユニットです。
半導体レーザーは弊社レーザー加熱用に開発され、温度のフィードバックや真空装置に適した出力及びアタッチメントから構成されています。 また、試料基板加熱部は、ファイバー受け，レンズ，レンズフード，石英窓から構成されています。
