反射高速電子線回折装置（RHEED）
反射高速電子線回折法（Reflection High Energy Electron Diffraction : RHEED）は、真空中で10〜50keV程度の電子線を試料表面に浅い角度で入射させ、試料表面の結晶格子で回折した反射図形を検出することで結晶表面の状態を調べる分析手法です。
RHEEDで入射する電子線は試料表面から数原子層程度しか侵入しないため表面状態に極めて敏感であり、主に結晶性，表面の平坦性，表面構造の情報が得られます。
また、電子線は蒸着の過程に影響しないため、分子線エピタキシー（Molecular Beam Epitaxy : MBE）法などにおける成長中の表面構造のその場(in-situ)観察ができるという利点を持っています。
