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コンパクトレ―ザーMBE装置

PAC-LMBE

コンパクトレ―ザーMBE装置

扱いやすいデザインで各種成膜条件の制御が容易

本装置は、超高真空成膜室に置かれたターゲット材にレーザー光を照射する事により、材料をレーザーアブレーションし、対向位置に置かれた基板上に材料を堆積させ、堆積膜を作製する装置です。

成膜室および真空排気系、ターゲット自公転ユニット、赤外線ランプ基板加熱ユニット、ロードロック室ユニットにより構成されております。

本装置の特長として、赤外線ランプ基板加熱ユニットにより従来困難であった酸素雰囲気中(500mTorr以上)でも800℃以上に基板加熱でき、サンプルを大気に曝すことなく成膜室に搬送できる機構を有しています。

詳細仕様

1.成膜室

チェンバーサイズ 直径約300mm×高さ500mm SUS304
真空到達度 6.7×10-7Pa以下(5×10-9Torr以下)
レーザー導入窓 ICF114 石英ビューポート
真空モニター
高真空ゲージ ICF70 UHVヌードイオンゲージ
プロセスゲージ ICF70 キャパシタンス・ダイヤフラムゲージ
真空排気系
主排気 ターボ分子ポンプ 800L/s
補助排気 ロータリーポンプ 237L/m
バルブ ICF203 圧空ゲートバルブ
背圧モニター T/Cゲージ
ガス導入
バリアブルリークバルブ
大気圧導入バルブ
ターゲット自公転ユニット
ターゲットサイズ φ20mm×6個
可動範囲 Z:±20mm
自転機構 ACモーター駆動 回転スピード制御可能
公転機構 ステッピングモーター駆動
基板加熱ユニット
赤外線ランプ基板加熱ユニット (半導体レーザー基板加熱ユニットへの変更可能)
基板サイズ 1.5インチ(または 2インチ)
最高加熱温度 800℃以上(15mm角内)
温度均一性 ±2.5℃以内(15mm角内)
熱電対 R型熱電対
移動機構 Z1:±20mm(全体上下)
Z2:0〜20mm(基板交換用)
基板回転 ステッピングモーター式(センサー付)
水冷仕様 冷却水必要

2.ロードロック室

ロードロック室ユニット
約φ150mm×200mmH SUS304
到達真空度 6.7×10-5Pa(5×10-7Torr)
収納数 基板2枚 ターゲット4個
回転上下ステージ
サンプル取出 アクセスドア
真空モニター ICF70 UHVヌードイオンゲージ
主排気 ターボ分子ポンプ 77L/s
補助排気 ロータリーポンプ 160L/m
バルブ ICF152 手動ゲートバルブ
背圧モニター T/Cゲージ
トランスファーロッド マグネット式トランスファーロッド

3.制御系

以下の2つの制御方式のいずれか、または両方を選択可能
エレクトロマニュアル制御
コントローラによるエレクトロマニュアル制御が可能
・ 基板温度制御(プログラマブル温度調整器)
・ ターゲット選択(プログラム式リモートコントローラー)
・ ターゲット自転制御(モーターコントローラー)
・ 基板回転制御(モーターコントローラー)
・ 排気系制御(タッチパネルによるポンプおよびバルブ操作)
PLD自動制御システム
PCおよび制御ソフトウェアにより以下の自動制御が可能
・ 基板温度制御
・ レーザーのゲート・発振制御
・ ターゲット選択(レーザー発振との同期が可能)
・ ターゲット自転・揺動制御(ターゲット面内レーザー均一照射が可能)
・ 基板回転制御(基板角度指定も可能)
・ 排気系制御(ポンプおよびバルブ操作)

4.ユーティリティー

電源 AC100V 1φ 50A
AC200V 3φ 50A
AC200V 1φ 10A
ガス導入口 N2,O2
圧縮空気 5kg/cm2 (圧力調整器含む)
冷却水 水圧 : 2kgf/cm3以上,流量 : 20L/min以上

※一次側のユーティリティーはお客様でご用意下さい。
性能向上等のため予告なく仕様を変更することがありますので予めご了承ください。

オプション

新製品情報

2021年3月
【真空搬送システム】
クラスターシステム
2020年2月
【真空部品】
アジレント社製 新型TMP TwisTorr 305 FS
2017年3月
【真空薄膜形成装置】
レーザーアシスト基板加熱機構
その他の新製品情報 >>

イベント情報

2022年3月22日〜26日
【併設展示】
応用物理学会春季学術講演会(於:青山学院大学 相模原キャンパス)
その他のイベント情報 >>

トピックス

2021年5月1日
関東営業所(埼玉県新座市)を移転しました。
2018年12月17日
茨城事業所(茨城県那珂市)を移転しました。
2013年10月31日
文部科学省による「革新的イノベーション創出プログラム(COI STREAM)」拠点に東京大学等と共に採択されました。
2011年4月15日
原子散乱表面分析装置 が、りそな中小企業振興財団・日刊工業新聞共催第23回「中小企業優秀新技術・新製品賞」一般部門“優良賞”を受賞しました。
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